SI 500 D滿足高端工藝要求，適用于器件的生產(chǎn)和研發(fā)應(yīng)用。 SI 500 D在基于硅烷的沉積工藝中(如II-V化合物和硅襯底)具有出色的性能。SI 500 D可在80℃至300℃/400℃溫度下采用ICPECVD 電感耦合等離子體增強化學(xué)氣相沉積方式制備高質(zhì)的SiO2、SiOxNy、SixNy、SiC 和 a-Si 膜，具有很高的工藝穩(wěn)定性和重復(fù)性。

特點：

低溫   高密度 

低應(yīng)力 高臺階覆蓋 

低損傷 高均勻性

SI 500 D的突出優(yōu)點是采用平板三螺旋天線PTSA 電感耦合等離子體ICP 源和有背氦冷卻系統(tǒng)的下電極，最大樣片直徑8英寸。

配置情況：SI 500 D可配置為單反應(yīng)腔系統(tǒng)、或帶預(yù)真空室或片盒站的多腔系統(tǒng)。設(shè)備配置質(zhì)量流量計MFC控制氣體流量、氣體流量獨立于氣體壓力控制，配置帶干泵的 預(yù)真空室，配置遠程現(xiàn)場控制器RFC、通過串行現(xiàn)場總線Interbus連接系統(tǒng)所有件，配置SENTECH等離子工藝系統(tǒng)操作軟件。采用液體前驅(qū)體TEOS，可實現(xiàn)高臺階覆蓋的氧化硅膜沉積。

型號

SI500 D       

ICPECVD  沉積系統(tǒng)

室溫～300/400℃

SI 500 D-300

ICPECVD  沉積系統(tǒng)

最大12英寸晶圓片

室溫～300/400℃

SI500   PPD

PECVD  沉積系統(tǒng)

帶預(yù)真空室

200℃~350℃

Depolab  200

PECVD  沉積系統(tǒng)

不帶預(yù)真空室

200℃~400℃

可選項

增加氣路

反應(yīng)腔壁加熱

載片器

襯套

前級泵改為干泵

下電極射頻偏置

液體前驅(qū)體系統(tǒng)

激光終點監(jiān)視器

OES 終點檢測

原位監(jiān)測橢偏儀

多腔系統(tǒng)配置