配置項目及機臺結構圖
配置項目 | SHL100-RIE | SHL200-RIE
| SHL200C-RIE
|
樣片尺寸 | 4英寸向下
| 8英寸向下兼容 | 8英寸向下
|
RF 功率源
| 0~300W/500W/1000W可調,自動匹配
| ||
分子泵
| 無/620(L/s)/1300(L/s)/定制
| 無/620(L/s)/1300(L/s)/定制
| |
前級泵 | 機械泵/干泵
| 干泵
| |
工藝控壓
| 不控壓/0~1Torr控壓
| ||
氣體種類
| H2 /CH4 /O2 /N2 /Ar/SF6 /CF4 / CHF3 /C4F8 /NF3 /定制 (最多9路:不含腐蝕與劇毒氣體 | H2 /CH4 /O2 /N2 /Ar/F6 /CF4 / CHF3 / C4F8 /NF3 /Cl2 /BCl3 /HBr (最多9路)
| |
氣體量程
| 0~5sccm/50sccm/100sccm/200sccm/300sccm/500sccm/定制 | ||
LoadLock腔 | 有/無
| 有 | |
樣片控溫 | 10℃ ~室溫/ -30℃~100℃/定制 | -30℃~100℃/定制
| |
背氦冷卻 | 有/無 | 有 | |
工藝腔內襯 | 有/無 | 有 | |
腔壁控溫 | 無/室溫~60/120℃
| 室溫~60/120℃
| |
控制系統
| 全自動/定制
| ||
刻蝕材料
| 硅基材料:Si/SiO2 /石英/SiNx…… IV-IV材料:SiC 磁性材料/合金材料 金屬材料:Ni/Cr/Al/Au…… 有機材料:PR/PMMA/HDMS/有機 膜…… | 硅基材料:Si/SiO2 /石英/SiNx…… III-V材料(注3) :InP/GaAs/GaN…… IV-IV材料:SiC II-VI材料(注3) :CdTe…… 磁性材料/合金材料 金屬材料:Ni/Cr/Al/Au…… 有機材料:PR/PMMA/HDMS/有機膜 |
應用案例:
硅基材料 刻蝕
硅基材料、納米壓印圖形、陣列圖形以及透鏡圖形刻蝕
石英材料蝕刻 硅陣列圖形 硅透鏡結構
磷化銦(InP)常溫 刻蝕
用于光通信中的InP基器件的圖案化蝕刻,包括波導結構,諧振腔結構,脊結構等
科研設備丨半導體材料丨高精度檢測丨清潔度檢測丨激光刻蝕丨光柵刻蝕丨離子刻蝕丨等離子清洗丨半導體檢驗丨蔡司電鏡丨材料科研丨二維刻蝕丨傾角刻蝕丨3維超景深丨掃描電鏡丨失效分析丨共聚焦顯微鏡 XML地圖