產品名稱：ICP感應耦合等離子刻蝕機

型號：ICP-RIE Plasma Etcher SI 500

SI 500-300用于最大200 mm x200 mm 的方片，特別適合石英光柵、微透鏡的刻蝕

SI 500為研發和小批量生產應用提供先進的ICP刻蝕工藝，具備高度的靈活性和模塊化設計特點。

SI 500的主要應用：SI 500通過感應耦合（ICP）方式產生高密度等離子體，按掩膜（例如介質掩膜、光刻膠掩膜或金屬掩膜）圖形、實現范圍廣泛的刻蝕工藝，包括對寬禁帶化合物半導體（例如SiC等）、III-V族化合物（例如GaAs、InP、GaN、InSb等）、II-VI族化合物（例如HgCdTe等）、介質、石英、玻璃、硅 和硅化合物（例如SiGe）等材料的選擇性刻蝕。

SI 500的主要特點：包括平板式ICP感應耦合等離子 體源、下電極動態溫度控制、高傳導真空系統、多 尺寸樣片間的靈活切換、遠程現場控制器RFC控制原理。

SENTECH的平板三螺旋天線（PTSA）ICP源高效 率地將ICP射頻功率耦合到等離子體、能生成完全 的感性耦合的高密度等離子體（自由基、離子、電 子），可工作在低壓力、刻蝕時樣品襯底上具有極 低的直流自偏壓，實現低損傷刻蝕工藝，例如量子點和量子線刻蝕。

SI500可實現的先進工藝應用，還包括低等離子功率時的高深寬比刻蝕工藝（例如用100W射頻功率刻蝕光子晶體）、GaAs和SiC中的通孔刻蝕、以及在石英和玻璃上的微透鏡刻蝕等。

SI 500通過增加DRIE模塊，還可實現深硅刻蝕。

SENTECH等離子工藝設備均在潔凈室內制造。高 效裝配、高產能和清潔環境，為SENTECH用戶帶 來了高質量、高可靠性的設備。

SENTECH通過專業的、受過良好培訓的工程師團隊、為全球用戶提供良好的本地化服務、快速的售 后服務響應、以及全面和長期的技術支持。

主要特點與核心指標

■ 加工尺寸：最大6英寸直徑晶圓、向下兼 容4英寸和更小的晶圓片或不規則碎片

■ 采用平板三螺旋天線，通過電介質板、將 射頻功率耦合到等離子體中

■ 最高等離子體密度可到1E12 cm-3 上、下電極間的距離可電動調節反應腔室：本底真空≤ 1E-6 mbar,真 空漏率≤ 2E - 4  mbar · l/s

■ 下電極溫度控制：溫度控制范圍-20°℃~+200°℃,溫度控制精度±1°℃

■ 集成式氣路柜，質量流量計MFC與反應腔室間的距離不超過150 cm,可以實現工藝氣體的快速切換

■ 激光終點檢測器：激光波長670 nm,測量速度<1 s,帶x-y電動位移，行程范圍25 mm x 25 mm

■ 預真空室位于反應腔室的外側，實現“穿墻式”安裝