超高分辨率
（0.6 nm@15 kV）
高壓隧道技術(shù)
*雙減速模式（Dul-Dec）
機(jī)械優(yōu)中心樣品臺(tái)
*快速換樣倉(cāng)（最大8寸）
產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)
超高分辨率成像，達(dá)到了突破性的0.6 nm@15 kV和1.0 nm@1 kV
樣品臺(tái)減速和高壓隧道技術(shù)組合的雙減速技術(shù)，挑戰(zhàn)極限樣品拍攝場(chǎng)景
高精度機(jī)械優(yōu)中心樣品臺(tái)、超穩(wěn)定性的機(jī)架減震設(shè)計(jì)，可搭配整體罩殼設(shè)計(jì)，極大減弱環(huán)境對(duì)極限分辨率的影響
最大支持8寸晶圓(最大直徑208 mm)的快速換樣倉(cāng)，滿足半導(dǎo)體和科研應(yīng)用需求
應(yīng)用案例
介孔二氧化硅/1 kV（Dul-Dec）/lnlens
陽(yáng)極氧化鋁板 /10 kV/Inlens
芯片/5 kV/BSED-COMP
腎臟切片 /5 kV/BSED-COMP
泡沫鎳/2 kV/ETD-SE
藍(lán)寶石襯底/5 kV/ETD-SE
金顆粒/1 kV/Inlens
光刻膠/2 kV/ETD-SE
磁性粉末/10 kV/Inlens
二氧化硅球/3 kV/ETD-SE
催化劑/1 kV/ETD-SE
波導(dǎo)/1 kV/ETD-SE
產(chǎn)品參數(shù)
| 關(guān)鍵參數(shù) | 分辨率 | 0.6 nm @ 15 kV，SE |
| 1.0 nm @ 1 kV，SE | ||
| 高分辨率模式最大觀察視野 | ≥5mm@5kV | |
| 工作距離WD | <9mm | |
| 加速電壓 | 20 V ~ 30 kV | |
| 放大倍率 | 1 ~ 2,500,000 x | |
| 電子槍類型 | 肖特基場(chǎng)發(fā)射電子槍,穩(wěn)定性≥0.2%/h | |
| 樣品室 | 真空系統(tǒng) | 全自動(dòng)控制 |
| 攝像頭 | 雙攝像頭（光學(xué)導(dǎo)航+樣品倉(cāng)內(nèi)監(jiān)控） | |
| 圖像存儲(chǔ)分辨率 | 最大48×32k像素 | |
| 樣品臺(tái)類型 | 五軸優(yōu)中心馬達(dá)驅(qū)動(dòng)樣品臺(tái) | |
| 樣品臺(tái)行程 | X=110 mm，Y=110 mm，Z=65 mm X=130mm，Y=130mm，Z=50mm（選配） | |
T: -10°~+70°，R: 360° T=-4~70°、R=360°(旋轉(zhuǎn)) （選配） | ||
| 樣品艙室尺寸 | 360mm x 317mm x 310mm 支持8寸晶圓進(jìn)行觀察 | |
| 探測(cè)器和擴(kuò)展 | 標(biāo)配 | 鏡筒內(nèi)電子探測(cè)器 |
| 旁側(cè)二次電子探測(cè)器（ETD） | ||
| 選配 | 插入式背散射電子探測(cè)器(BSED) | |
| 插入式掃描透射探測(cè)器（STEM） | ||
| 能譜儀（EDS） | ||
| 背散射衍射（EBSD） | ||
| 樣品交換倉(cāng)（4寸和8寸可選） | ||
| 軌跡球&旋鈕控制板 | ||
| 樣品臺(tái)減速 | ||
| 磁場(chǎng)噪音屏蔽系統(tǒng)（SEMI認(rèn)證） | ||
| 支持定制 | EBIC功能 | 進(jìn)行吸收電流測(cè)量、吸收電流成像和電子束感生電流成像 |
| 原位加熱芯片 | 結(jié)合EDS等多種不同模式，實(shí)時(shí)、動(dòng)態(tài)監(jiān)測(cè)樣品成分演化等關(guān)鍵信息 | |
| 樣品可見(jiàn)光學(xué)檢測(cè)子系統(tǒng) | 可實(shí)現(xiàn)在室溫環(huán)境中對(duì)待檢測(cè)樣品進(jìn)行光學(xué)預(yù)檢查，包含5X、10X、20X、50X、100X無(wú)限遠(yuǎn)物鏡，以及高清CCD相機(jī)和測(cè)量軟件 | |
| 軟件 | 語(yǔ)言 | 中文 |
| 操作系統(tǒng) | Windows | |
| 導(dǎo)航 | 光學(xué)導(dǎo)航、手勢(shì)快捷導(dǎo)航 | |
| 圖像顯示 | 1536x1024像素，至少2臺(tái)24”LCD顯示器 | |
| 圖像記錄 | TIFF、JPG、PNG、BMP | |
| 自動(dòng)功能 | 自動(dòng)亮度對(duì)比度、自動(dòng)聚焦、自動(dòng)像散 |
